FORESEE国产化内存的核心DRAM率先采用长鑫存储的10nm级最新版本8Gb颗粒,该颗粒已通过江波龙EVT完整的颗粒级测试。在主频方面,FORESEE国产化内存的频率为2666MHz;在设计架构上,均采用8Gb颗粒,速度和稳定性均有了很大的提升。
内存参数
测试项目
2019年9月,长鑫存储发布与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4。目前,长鑫存储正使用其 10G1 技术来制造8Gb DDR4 存储器芯片。不同于行业常规的Advantest和PC测试,江波龙创新采用基于10nm ASIC的自主开发测试系统,提供最佳的颗粒Margin和耐受度测试方案。
测试数据
FORESEE国产化内存的PCB基板基于JEDEC R/C标准进行设计规范,并已经过市场各方面应用NPO。除此之外,生产制造由国内知名EMS企业完成,通过完善的自动化体系和精益化生产管理,实现产品的高质量输出,把守产品的质量底线。FORESEE新推出的国产化内存已通过一系列兼容性测试,在单通、双通、四通满载Loading上都保持100%的测试通过率,在稳定性上的表现非常优异。
消息来源:https://www.expreview.com/74234.html
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