在5nm之后（预计在当前7纳米节点上实现84-87％的晶体管密度增长），计划将达到3纳米，台积电预计该节点将于2022年实现量产。有趣的是，台积电仍尽管采用了新的GAAFET（全方位栅场效应晶体管）技术，但仍将FinFET技术用于其3 nm制造节点。台积电计划在5nm以下制造中部署FinFET的计划，许多行业分析家和专家认为极难实现。
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