三星推出第三代“ Flashbolt” HBM2E显存

       近日，知名存储品牌三星宣布其第三代高带宽存储器“ Flashbolt”进入市场，它采用了HBM2E显存。新型16GB得HBM2E适用于高性能计算系统，提供前一代8 GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍，还可以显着提高性能和电源效率，从而显著改善下一代计算系统。

       它通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠的八层10nm级16Gb DRAM裸片来实现16GB的容量。三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输，可提供每秒3.2Gbps的高数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB/s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，在某些应用中，每个堆栈的带宽高达538GB/s。这将比Aquabolt的307GB/s快1.75倍。三星预计将在今年上半年开始量产，将继续提供其第二代Aquabolt产品，同时扩展其第三代Flashbolt产品。