寻求突破:Kioxia推出Twin BiCS Flash闪存技术

3D闪存技术通过增加单元堆叠层的数量以及实现多层堆叠沉积和高深宽比蚀刻，以每位低成本实现了高位密度。近年来，随着单元层的数量超过100，在蚀刻轮廓控制，尺寸均匀性和生产率之间进行权衡取舍变得越来越具有挑战性。为了克服这个问题，Kioxia通过在常规圆形单元中分割栅电极以减小单元尺寸（与常规圆形单元相比），开发了一种新的半圆形单元设计，从而可以在较少数量的单元层上实现更高密度的存储。

Kioxia当前将该技术命名为Twin BiCS Flash，如设计此能够缩小单元尺寸，同时也可以拥有更多位，两者都能够实现储存密度提升。Kioxia表示，经实证，Twin BiCS Flash要更优于QLC（4bit/cell），同时也是迈向PLC（5bit/cell）发展的可行候选方案。