丧心病狂的三星：32层堆叠闪存！

作者：外设天下新闻组|发布时间：2014-05-29 16:27:00

[摘要]2013年8月，三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND。”今天，三星又公布了第二代，堆叠的闪存竟然达到了32层，比第一代的24层又增加了三分之一。与此同时，三星还推出了一系列基于这 ...

2013年8月，三星电子宣布批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND。”今天，三星又公布了第二代，堆叠的闪存竟然达到了32层，比第一代的24层又增加了三分之一。

与此同时，三星还推出了一系列基于这种新闪存的固态硬盘，容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同规格，应用市场也从数据中心拓展到了高端PC。

三星称，相比于普通的2D平面闪存，新的3D立体闪存写入寿命可以延长大约一倍，功耗降低20％。

多层堆叠最大的好处就是可以增加单颗闪存的容量，从而减少整块硬盘所需的颗粒数量，不过三星并未公布目前可以达到单颗最高多大容量。去年的是单颗16GB。

三星表示，今年晚些时候还会推出更多3D闪存固态硬盘，容量更大，可靠性更高。

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